High performance Ω-gated Ge nanowire MOSFET with quasi-metallic source/drain contacts. | Nanotechnology;21(43): 435704, 2010 Oct 29. | MEDLINE

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High performance Ω-gated Ge nanowire MOSFET with quasi-metallic source/drain contacts.

Burchhart, T; Zeiner, C; Hyun, Y J; Lugstein, A; Hochleitner, G; Bertagnolli, E.

Afiliação

Burchhart T; Institute for Solid State Electronics, Vienna University of Technology, Vienna, Austria.

Nanotechnology ; 21(43): 435704, 2010 Oct 29.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20876973

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article

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