Growth of Inclined GaAs Nanowires by Molecular Beam Epitaxy: Theory and Experiment. | Nanoscale Res Lett;5(10): 1692-7, 2010 Jul 24. | MEDLINE

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Growth of Inclined GaAs Nanowires by Molecular Beam Epitaxy: Theory and Experiment.

Zhang, X; Dubrovskii, V G; Sibirev, N V; Cirlin, G E; Sartel, C; Tchernycheva, M; Harmand, J C; Glas, F.

Nanoscale Res Lett ; 5(10): 1692-7, 2010 Jul 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21076695

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article

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