Communication: Highest occupied molecular orbital-lowest unoccupied molecular orbital gaps of doped silicon clusters from core level spectroscopy. | J Chem Phys;134(4): 041102, 2011 Jan 28. | MEDLINE

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Communication: Highest occupied molecular orbital-lowest unoccupied molecular orbital gaps of doped silicon clusters from core level spectroscopy.

Lau, J T; Vogel, M; Langenberg, A; Hirsch, K; Rittmann, J; Zamudio-Bayer, V; Möller, T; von Issendorff, B.

Afiliação

Lau JT; Institut für Methoden und Instrumentierung der Synchrotronstrahlung, Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, G-I2, Albert-Einstein-Straße 15, 12489 Berlin, Germany. tobias.lau@helmholtz-berlin.de

J Chem Phys ; 134(4): 041102, 2011 Jan 28.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21280677

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article

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