Memory and threshold resistance switching in Ni/NiO core-shell nanowires.

He, Li; Liao, Zhi-Min; Wu, Han-Chun; Tian, Xiao-Xue; Xu, Dong-Sheng; Cross, Graham L W; Duesberg, Georg S; Shvets, I V; Yu, Da-Peng

He, Li; Liao, Zhi-Min; Wu, Han-Chun; Tian, Xiao-Xue; Xu, Dong-Sheng; Cross, Graham L W; Duesberg, Georg S; Shvets, I V; Yu, Da-Peng.

Afiliação

He L; State Key Laboratory for Mesoscopic Physics, Department of Physics, Peking University, Beijing 100871, People's Republic of China.

Nano Lett ; 11(11): 4601-6, 2011 Nov 09.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-21985530

Assuntos

Dispositivos de Armazenamento em Computador; Armazenamento e Recuperação da Informação/métodos; Nanoestruturas/química; Nanoestruturas/ultraestrutura; Nanotecnologia/instrumentação; Níquel/química; Impedância Elétrica; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Dispositivos de Armazenamento em Computador / Armazenamento e Recuperação da Informação / Nanotecnologia / Nanoestruturas / Níquel Idioma: En Ano de publicação: 2011 Tipo de documento: Article

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