Room-temperature terahertz detectors based on semiconductor nanowire field-effect transistors.

Vitiello, Miriam S; Coquillat, Dominique; Viti, Leonardo; Ercolani, Daniele; Teppe, Frederic; Pitanti, Alessandro; Beltram, Fabio; Sorba, Lucia; Knap, Wojciech; Tredicucci, Alessandro

Vitiello, Miriam S; Coquillat, Dominique; Viti, Leonardo; Ercolani, Daniele; Teppe, Frederic; Pitanti, Alessandro; Beltram, Fabio; Sorba, Lucia; Knap, Wojciech; Tredicucci, Alessandro.

Afiliação

Vitiello MS; Istituto di Fisica Applicata Nello Carrara - CNR, Via Madonna del Piano 1, Sesto Fiorentino, I-50019 Italy. miriam.vitiello@sns.it

Nano Lett ; 12(1): 96-101, 2012 Jan 11.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22149118

Assuntos

Nanoestruturas/química; Nanotecnologia/instrumentação; Radiometria/instrumentação; Radiação Terahertz; Transistores Eletrônicos; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Nanoestruturas/ultraestrutura; Doses de Radiação; Temperatura

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Radiometria / Transistores Eletrônicos / Nanotecnologia / Nanoestruturas / Radiação Terahertz Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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