Effect of annealing treatment on electroluminescence from GaN/Si nanoheterostructure array.

Han, Chang Bao; He, Chuan; Meng, Xiao Bo; Wan, Ya Rui; Tian, Yong Tao; Zhang, Ying Jiu; Li, Xin Jian

Han, Chang Bao; He, Chuan; Meng, Xiao Bo; Wan, Ya Rui; Tian, Yong Tao; Zhang, Ying Jiu; Li, Xin Jian.

Afiliação

Han CB; Department of Physics and Laboratory of Materials Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China.

Opt Express ; 20(5): 5636-43, 2012 Feb 27.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22418371

Assuntos

Gálio/química; Medições Luminescentes/instrumentação; Nanoestruturas/química; Nanotecnologia/instrumentação; Silício/química; Desenho de Equipamento; Análise de Falha de Equipamento; Dureza; Temperatura Alta; Nanoestruturas/ultraestrutura

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Silício / Nanotecnologia / Nanoestruturas / Gálio / Medições Luminescentes Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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