Bias-stress effect in 1,2-ethanedithiol-treated PbS quantum dot field-effect transistors. | ACS Nano;6(4): 3121-7, 2012 Apr 24. | MEDLINE

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Bias-stress effect in 1,2-ethanedithiol-treated PbS quantum dot field-effect transistors.

Osedach, Timothy P; Zhao, Ni; Andrew, Trisha L; Brown, Patrick R; Wanger, Darcy D; Strasfeld, David B; Chang, Liang-Yi; Bawendi, Moungi G; Bulovic, Vladimir.

Afiliação

Osedach TP; Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, United States.

ACS Nano ; 6(4): 3121-7, 2012 Apr 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22480161

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

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