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Electron transport in SiGe alloy nanowires in the ballistic regime from first-principles.
Amato, Michele; Ossicini, Stefano; Rurali, Riccardo.
Afiliação
  • Amato M; Dipartimento di Scienze e Metodi dell'Ingegneria, Centro Interdipartimentale En&Tech, Universitá di Modena e Reggio Emilia, Via Amendola 2 Pad. Morselli, I-42100 Reggio Emilia, Italy.
Nano Lett ; 12(6): 2717-21, 2012 Jun 13.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-22545577
ABSTRACT
Silicon-germanium alloying is emerging as one of the most promising strategies to engineer heat transport at the nanoscale. Here, we perform first-principles electron transport calculations to assess at what extent such approach can be followed without worsening the electrical conduction properties of the system, providing then a path toward high-efficiency thermoelectric materials.
Assuntos

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Silício / Nanoestruturas / Ligas / Germânio / Modelos Químicos Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Silício / Nanoestruturas / Ligas / Germânio / Modelos Químicos Idioma: En Ano de publicação: 2012 Tipo de documento: Article