Ultraviolet electroluminescence from nitrogen-doped ZnO-based heterojuntion light-emitting diodes prepared by remote plasma in situ atomic layer-doping technique. | ACS Appl Mater Interfaces;5(2): 227-32, 2013 Jan 23. | MEDLINE

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Ultraviolet electroluminescence from nitrogen-doped ZnO-based heterojuntion light-emitting diodes prepared by remote plasma in situ atomic layer-doping technique.

Chien, Jui-Fen; Liao, Hua-Yang; Yu, Sheng-Fu; Lin, Ray-Ming; Shiojiri, Makoto; Shyue, Jing-Jong; Chen, Miin-Jang.

Afiliação

Chien JF; Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan, Republic of China.

ACS Appl Mater Interfaces ; 5(2): 227-32, 2013 Jan 23.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23259506

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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