Effect of concurrent joule heat and charge trapping on RESET for NbAlO fabricated by atomic layer deposition.

Zhou, Peng; Ye, Li; Sun, Qing Qing; Wang, Peng Fei; Jiang, An Quan; Ding, Shi Jin; Zhang, David Wei

Zhou, Peng; Ye, Li; Sun, Qing Qing; Wang, Peng Fei; Jiang, An Quan; Ding, Shi Jin; Zhang, David Wei.

Afiliação

Zhou P; ASIC & System State Key Lab, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China. pengzhou@fudan.edu.cn.

Nanoscale Res Lett ; 8(1): 91, 2013 Feb 19.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23421401

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https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3667048
https://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-8-91

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