Dependence of carrier doping on the impurity potential in transition-metal-substituted FeAs-based superconductors. | Phys Rev Lett;110(10): 107007, 2013 Mar 08. | MEDLINE

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Dependence of carrier doping on the impurity potential in transition-metal-substituted FeAs-based superconductors.

Ideta, S; Yoshida, T; Nishi, I; Fujimori, A; Kotani, Y; Ono, K; Nakashima, Y; Yamaichi, S; Sasagawa, T; Nakajima, M; Kihou, K; Tomioka, Y; Lee, C H; Iyo, A; Eisaki, H; Ito, T; Uchida, S; Arita, R.

Afiliação

Ideta S; Department of Physics, University of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, Japan.

Phys Rev Lett ; 110(10): 107007, 2013 Mar 08.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23521287

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

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