Influence of gallium-doped zinc-oxide thickness on polymer light-emitting diode luminescence efficiency. | Microsc Res Tech;76(8): 783-7, 2013 Aug. | MEDLINE

Conteúdo principal 1 Busca 2 Rodapé 3

+A A -A Alto contraste

Biblioteca Virtual em Saúde

Secretaria Municipal da Saúde de São Paulo

português

Localizar descritor de assunto Busca Avançada

Influence of gallium-doped zinc-oxide thickness on polymer light-emitting diode luminescence efficiency.

Chen, Sy-Hann; Chen, Wei-Chun; Yu, Chang-Feng; Lin, Chia-Feng; Kao, Po-Ching.

Afiliação

Chen SH; Department of Electrophysics, National Chiayi University, Chiayi, Taiwan. shchen@mail.ncyu.edu.tw

Microsc Res Tech ; 76(8): 783-7, 2013 Aug.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-23681783

Palavras-chave

conducting atomic force microscopy; gallium-doped zinc oxide; polymer light-emitting diode; pulsed laser deposition; scanning surface potential microscopy

Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article