Sub 60 mV/decade switch using an InAs nanowire-Si heterojunction and turn-on voltage shift with a pulsed doping technique. | Nano Lett;13(12): 5822-6, 2013. | MEDLINE

Conteúdo principal 1 Busca 2 Rodapé 3

+A A -A Alto contraste

Biblioteca Virtual em Saúde

Secretaria Municipal da Saúde de São Paulo

português

Localizar descritor de assunto Busca Avançada

Sub 60 mV/decade switch using an InAs nanowire-Si heterojunction and turn-on voltage shift with a pulsed doping technique.

Tomioka, Katsuhiro; Yoshimura, Masatoshi; Fukui, Takashi.

Afiliação

Tomioka K; Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University , North 14 West 9, Sapporo 060-0814, Japan.

Nano Lett ; 13(12): 5822-6, 2013.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24215512

Assuntos

Arsenicais/química; Índio/química; Nanotecnologia; Nanofios/química; Silício/química; Propriedades de Superfície; Zinco

Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Arsenicais / Nanotecnologia / Nanofios / Índio Idioma: En Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article

Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Arsenicais / Nanotecnologia / Nanofios / Índio Idioma: En Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article