Effects of AlGaAs cladding layers on the luminescence of GaAs/GaAs1-xBix/GaAs heterostructures. | Nanotechnology;25(3): 035702, 2014 Jan 24. | MEDLINE

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Effects of AlGaAs cladding layers on the luminescence of GaAs/GaAs1-xBix/GaAs heterostructures.

Mazur, Yu I; Dorogan, V G; de Souza, L D; Fan, D; Benamara, M; Schmidbauer, M; Ware, M E; Tarasov, G G; Yu, S-Q; Marques, G E; Salamo, G J.

Afiliação

Mazur YI; Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, 731 W Dickson Street, Fayetteville, AR 72701, USA.

Nanotechnology ; 25(3): 035702, 2014 Jan 24.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24346504

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article

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