Ultralong and defect-free GaN nanowires grown by the HVPE process. | Nano Lett;14(2): 559-62, 2014 Feb 12. | MEDLINE

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Ultralong and defect-free GaN nanowires grown by the HVPE process.

Avit, Geoffrey; Lekhal, Kaddour; André, Yamina; Bougerol, Catherine; Réveret, François; Leymarie, Joël; Gil, Evelyne; Monier, Guillaume; Castelluci, Dominique; Trassoudaine, Agnès.

Afiliação

Avit G; Clermont Université, Université Blaise Pascal, Institut Pascal, BP 10448, F-63000 Clermont-Ferrand, France.

Nano Lett ; 14(2): 559-62, 2014 Feb 12.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-24393103

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2014 Tipo de documento: Article

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