Origins of improved carrier multiplication efficiency in elongated semiconductor nanostructures. | Phys Chem Chem Phys;17(4): 2573-81, 2015 Jan 28. | MEDLINE

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Origins of improved carrier multiplication efficiency in elongated semiconductor nanostructures.

Sills, Andrew; Califano, Marco.

Afiliação

Sills A; Institute of Microwaves and Photonics, School of Electronic and Electrical Engineering, University of Leeds, Leeds LS2 9JT, UK. el09ams@leeds.ac.uk.

Phys Chem Chem Phys ; 17(4): 2573-81, 2015 Jan 28.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25493662

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article

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