Influence of the doping level on the porosity of silicon nanowires prepared by metal-assisted chemical etching. | Nanotechnology;26(24): 245301, 2015 Jun 19. | MEDLINE

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Influence of the doping level on the porosity of silicon nanowires prepared by metal-assisted chemical etching.

Geyer, Nadine; Wollschläger, Nicole; Fuhrmann, Bodo; Tonkikh, Alexander; Berger, Andreas; Werner, Peter; Jungmann, Marco; Krause-Rehberg, Reinhard; Leipner, Hartmut S.

Afiliação

Geyer N; Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, D-06120 Halle, Germany.

Nanotechnology ; 26(24): 245301, 2015 Jun 19.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-26011398

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article

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