Your browser doesn't support javascript.
loading
Abnormal behavior of threshold voltage shift in bias-stressed a-Si:H thin film transistor under extremely high intensity illumination.
Han, Sang Youn; Park, Kyung Tea; Kim, Cheolkyu; Jeon, Sanghyun; Yang, Sung-Hoon; Kong, Hyang-Shik.
Afiliação
  • Han SY; Display Research Center, Samsung Display Co., Yongin, Gyeonggi-do 446-920, South Korea.
  • Park KT; Display Research Center, Samsung Display Co., Yongin, Gyeonggi-do 446-920, South Korea.
  • Kim C; Display Research Center, Samsung Display Co., Yongin, Gyeonggi-do 446-920, South Korea.
  • Jeon S; Display Research Center, Samsung Display Co., Yongin, Gyeonggi-do 446-920, South Korea.
  • Yang SH; Display Research Center, Samsung Display Co., Yongin, Gyeonggi-do 446-920, South Korea.
  • Kong HS; Display Research Center, Samsung Display Co., Yongin, Gyeonggi-do 446-920, South Korea.
ACS Appl Mater Interfaces ; 7(28): 15442-6, 2015 Jul 22.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-26132513
Palavras-chave
Texto completo
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article
Texto completo
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2015 Tipo de documento: Article