Combining 2 nm Spatial Resolution and 0.02% Precision for Deformation Mapping of Semiconductor Specimens in a Transmission Electron Microscope by Precession Electron Diffraction.

Cooper, David; Bernier, Nicolas; Rouvière, Jean-Luc

Cooper, David; Bernier, Nicolas; Rouvière, Jean-Luc.

Afiliação

Cooper D; University Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France.
Bernier N; CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France.
Rouvière JL; University Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France.

Nano Lett ; 15(8): 5289-94, 2015 Aug 12.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-26218789

Palavras-chave

Semiconductors; precession diffraction; strain mapping; transmission electron microscopy

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