Theoretical analysis of performance enhancement in GeSn/SiGeSn light-emitting diode enabled by Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> liner stressor technique. | Appl Opt;55(34): 9668-9674, 2016 Dec 01. | MEDLINE

Conteúdo principal 1 Busca 2 Rodapé 3

+A A -A Alto contraste

Biblioteca Virtual em Saúde

Secretaria Municipal da Saúde de São Paulo

português

Localizar descritor de assunto Busca Avançada

Theoretical analysis of performance enhancement in GeSn/SiGeSn light-emitting diode enabled by Si₃N₄ liner stressor technique.

Zhang, Qingfang; Liu, Yan; Han, Genquan; Shao, Yao; Gao, Xi; Zhang, Chunfu; Zhang, Jincheng; Hao, Yue.

Appl Opt ; 55(34): 9668-9674, 2016 Dec 01.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-27958455

Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article

Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2016 Tipo de documento: Article