Capacitance-voltage analysis of electrical properties for WSe<sub>2</sub> field effect transistors with high-k encapsulation layer. | Nanotechnology;29(6): 065703, 2018 Feb 09. | MEDLINE

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Capacitance-voltage analysis of electrical properties for WSe₂ field effect transistors with high-k encapsulation layer.

Ko, Seung-Pil; Shin, Jong Mok; Jang, Ho Kyun; You, Min Youl; Jin, Jun-Eon; Choi, Miri; Cho, Jiung; Kim, Gyu-Tae.

Afiliação

Ko SP; School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, 02841, Republic of Korea.

Nanotechnology ; 29(6): 065703, 2018 Feb 09.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29239861

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article

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