Anisotropic sensor and memory device with a ferromagnetic tunnel barrier as the only magnetic element.

LÏpez-Mir, L; Frontera, C; Aramberri, H; Bouzehouane, K; Cisneros-Fernández, J; Bozzo, B; Balcells, L; Martínez, B

LÏpez-Mir, L; Frontera, C; Aramberri, H; Bouzehouane, K; Cisneros-Fernández, J; Bozzo, B; Balcells, L; Martínez, B.

Afiliação

LÏpez-Mir L; Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), 08193, Bellaterra, Spain. llopez@icmab.es.
Frontera C; Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), 08193, Bellaterra, Spain.
Aramberri H; Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), 08193, Bellaterra, Spain.
Bouzehouane K; Unitè Mixte de Physique, CNRS-Thales, Palaiseau, 91767, France.
Cisneros-Fernández J; Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), 08193, Bellaterra, Spain.
Bozzo B; Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), 08193, Bellaterra, Spain.
Balcells L; Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), 08193, Bellaterra, Spain.
Martínez B; Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), 08193, Bellaterra, Spain.

Sci Rep ; 8(1): 861, 2018 01 16.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29339784

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