Monolithic integration of GaN-based light-emitting diodes and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: reply. | Opt Express;26(2): A110, 2018 Jan 22. | MEDLINE

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Monolithic integration of GaN-based light-emitting diodes and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: reply.

Lee, Ya-Ju; Yang, Zu-Po; Chen, Pin-Guang; Hsieh, Yung-An; Yao, Yung-Chi; Liao, Ming-Han; Lee, Min-Hung; Wang, Mei-Tan; Hwang, Jung-Min.

Opt Express ; 26(2): A110, 2018 Jan 22.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29401900

ABSTRACT

ABSTRACT

We present some comments to the paper "Monolithic integration of GaN-based light-emitting diodes and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors comment," [Opt. Express22, A1589 (2014)].

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article

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