Layer dependent magnetoresistance of vertical MoS<sub>2</sub> magnetic tunnel junctions. | Nanoscale;10(35): 16703-16710, 2018 Sep 13. | MEDLINE

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Layer dependent magnetoresistance of vertical MoS₂ magnetic tunnel junctions.

Khan, Muhammad Farooq; Kim, Hakseong; Nazir, Ghazanfar; Jung, Suyong; Eom, Jonghwa.

Afiliação

Khan MF; Department of Physics & Astronomy and Graphene Research Institute, Sejong University, Seoul 05006, Korea. eom@sejong.ac.kr.

Nanoscale ; 10(35): 16703-16710, 2018 Sep 13.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30155548

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article

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