Anisotropic Spin-Acoustic Resonance in Silicon Carbide at Room Temperature.

Hernández-Mínguez, A; Poshakinskiy, A V; Hollenbach, M; Santos, P V; Astakhov, G V

Hernández-Mínguez, A; Poshakinskiy, A V; Hollenbach, M; Santos, P V; Astakhov, G V.

Afiliação

Hernández-Mínguez A; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.
Poshakinskiy AV; Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia.
Hollenbach M; Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany.
Santos PV; Technische Universität Dresden, 01062 Dresden, Germany.
Astakhov GV; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany.

Phys Rev Lett ; 125(10): 107702, 2020 Sep 04.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-32955339

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Ano de publicação: 2020 Tipo de documento: Article

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