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Growth, Electronic and Electrical Characterization of Ge-Rich Ge-Sb-Te Alloy.
Díaz Fattorini, Adriano; Chèze, Caroline; López García, Iñaki; Petrucci, Christian; Bertelli, Marco; Righi Riva, Flavia; Prili, Simone; Privitera, Stefania M S; Buscema, Marzia; Sciuto, Antonella; Di Franco, Salvatore; D'Arrigo, Giuseppe; Longo, Massimo; De Simone, Sara; Mussi, Valentina; Placidi, Ernesto; Cyrille, Marie-Claire; Tran, Nguyet-Phuong; Calarco, Raffaella; Arciprete, Fabrizio.
Afiliação
  • Díaz Fattorini A; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Rome, Italy.
  • Chèze C; Dipartimento di Fisica, Università di Roma "Tor Vergata", Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Rome, Italy.
  • López García I; Dipartimento di Fisica, Università di Roma "Tor Vergata", Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Rome, Italy.
  • Petrucci C; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Zona Industriale Ottava Strada 5, 95121 Catania, Italy.
  • Bertelli M; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Rome, Italy.
  • Righi Riva F; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Rome, Italy.
  • Prili S; Dipartimento di Fisica, Università di Roma "Tor Vergata", Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Rome, Italy.
  • Privitera SMS; Dipartimento di Fisica, Università di Roma "Tor Vergata", Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Rome, Italy.
  • Buscema M; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Zona Industriale Ottava Strada 5, 95121 Catania, Italy.
  • Sciuto A; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Zona Industriale Ottava Strada 5, 95121 Catania, Italy.
  • Di Franco S; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Zona Industriale Ottava Strada 5, 95121 Catania, Italy.
  • D'Arrigo G; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Zona Industriale Ottava Strada 5, 95121 Catania, Italy.
  • Longo M; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Zona Industriale Ottava Strada 5, 95121 Catania, Italy.
  • De Simone S; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Rome, Italy.
  • Mussi V; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Rome, Italy.
  • Placidi E; Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR), Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Rome, Italy.
  • Cyrille MC; Dipartimento di Fisica, Università di Roma "Tor Vergata", Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Rome, Italy.
  • Tran NP; Department of Physics, Sapienza University of Rome, P.le Aldo Moro 5, 00185 Rome, Italy.
  • Calarco R; Leti, CEA, University Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France.
  • Arciprete F; Leti, CEA, University Grenoble Alpes, 38000 Grenoble, France.
Nanomaterials (Basel) ; 12(8)2022 Apr 13.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-35458046
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Ano de publicação: 2022 Tipo de documento: Article
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