Roles of Oxygen Interstitial Defects in Atomic-Layer Deposited InGaZnO Thin Films with Controlling the Cationic Compositions and Gate-Stack Processes for the Devices with Subµm Channel Lengths.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(27): 31010-31023, 2022 Jul 13.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-35785988
Texto completo:
1
Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Idioma:
En
Ano de publicação:
2022
Tipo de documento:
Article