Solving the issue of increasing forming voltage during device miniaturization in hafnium oxide-based resistive access memory using high-ksidewall material.
Nanotechnology
; 34(50)2023 Oct 11.
Article
em En
| MEDLINE
| ID: mdl-37722365
Texto completo:
1
Coleções:
01-internacional
Base de dados:
MEDLINE
Tipo de estudo:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Ano de publicação:
2023
Tipo de documento:
Article