Hydrostatic pressure dependence of isoelectronic bound excitons in beryllium-doped silicon.
Phys Rev B Condens Matter
; 53(8): 4434-4442, 1996 Feb 15.
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em En
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| ID: mdl-9983997
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Idioma:
En
Ano de publicação:
1996
Tipo de documento:
Article