Tuning electronic structure of monolayer InP<sub>3</sub> in contact with graphene or Ni: effect of a buffer layer and intrinsic In and P-vacancy. | Phys Chem Chem Phys;21(3): 1285-1293, 2019 Jan 21. | MEDLINE

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Tuning electronic structure of monolayer InP₃ in contact with graphene or Ni: effect of a buffer layer and intrinsic In and P-vacancy.

Li, Zhongjun; Qian, Mingzhi; Song, Lingling; Ma, Liang; Qiu, Huaili; Zeng, Xiao Cheng.

Afiliação

Li Z; School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui 230009, China.

Phys Chem Chem Phys ; 21(3): 1285-1293, 2019 Jan 21.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30569927

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Phys Chem Chem Phys Assunto da revista: BIOFISICA / QUIMICA Ano de publicação: 2019 Tipo de documento: Article País de afiliação: China País de publicação: Reino Unido

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