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1.
Microscopic identification and electronic structure of a di-hydrogen-vacancy complex in silicon by optical detection of magnetic resonance.
Chen WM; Awadelkarim OO; Monemar B; Lindström JL; Oehrlein GS.
Phys Rev Lett ; 64(25): 3042-3045, 1990 Jun 18.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10041880
2.
Alternating donorlike-acceptorlike configurationally bistable defect in irradiated phosphorus-doped silicon.
Awadelkarim OO; Monemar B.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(14): 10116-10119, 1988 Nov 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9945855
3.
Optically detected magnetic resonance of a thermally induced deep center in electron-irradiated silicon.
Chen WM; Awadelkarim OO; Weman H; Monemar B.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(14): 10013-10016, 1989 Nov 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9991541
4.
Defect annealing in electron-irradiated boron-doped silicon.
Awadelkarim OO; Chen WM; Weman H; Monemar B.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(2): 1019-1027, 1990 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9993798
5.
Intensity of exciton luminescence in silicon in a weak magnetic field.
Chen WM; Awadelkarim OO; Weman H; Monemar B.
Phys Rev B Condens Matter ; 42(8): 5120-5125, 1990 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9996073
6.
Photoluminescence study of radiative channels in ion-implanted silicon.
Awadelkarim OO; Henry A; Monemar B; Lindström JL; Zhang Y; Corbett JW.
Phys Rev B Condens Matter ; 42(9): 5635-5640, 1990 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9996148
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