Detalhe da pesquisa
1.
Three-Dimensional Integration of InAs Nanowires by Template-Assisted Selective Epitaxy on Tungsten.
Nano Lett
; 23(11): 4756-4761, 2023 Jun 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37227403
2.
Performance enhancement of GaSb vertical nanowire p-type MOSFETs on Si by rapid thermal annealing.
Nanotechnology
; 33(7)2021 Nov 24.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34736238
3.
Feature size control using surface reconstruction temperature in block copolymer lithography for InAs nanowire growth.
Nanotechnology
; 31(32): 325303, 2020 Aug 07.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32330916
4.
Impact of source doping on the performance of vertical InAs/InGaAsSb/GaSb nanowire tunneling field-effect transistors.
Nanotechnology
; 29(43): 435201, 2018 Oct 26.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-30091724
5.
Vertical InAs/InGaAs Heterostructure Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si.
Nano Lett
; 17(10): 6006-6010, 2017 10 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28873310
6.
Individual Defects in InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors Operating below 60 mV/decade.
Nano Lett
; 17(7): 4373-4380, 2017 07 12.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-28613894
7.
Low Leakage-Current InAsSb Nanowire Photodetectors on Silicon.
Nano Lett
; 16(1): 182-7, 2016 Jan 13.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26675242
8.
III-V Nanowire Complementary Metal-Oxide Semiconductor Transistors Monolithically Integrated on Si.
Nano Lett
; 15(12): 7898-904, 2015 Dec 09.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-26595174
9.
Diameter-Dependent photocurrent in InAsSb nanowire infrared photodetectors.
Nano Lett
; 13(4): 1380-5, 2013 Apr 10.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-23464650
10.
Combining axial and radial nanowire heterostructures: radial Esaki diodes and tunnel field-effect transistors.
Nano Lett
; 13(12): 5919-24, 2013.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-24224956
11.
Single InAs/GaSb nanowire low-power CMOS inverter.
Nano Lett
; 12(11): 5593-7, 2012 Nov 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-23043243
12.
Determination of the bending rigidity of graphene via electrostatic actuation of buckled membranes.
Nano Lett
; 12(7): 3526-31, 2012 Jul 11.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-22708530
13.
Effects of Interface Oxidation on Noise Properties and Performance in III-V Vertical Nanowire Memristors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(15): 19085-19091, 2023 Apr 19.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-37026413
14.
Carbon nanotube field effect transistors with suspended graphene gates.
Nano Lett
; 11(9): 3569-75, 2011 Sep 14.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-21848317
15.
Improved Electrostatics through Digital Etch Schemes in Vertical GaSb Nanowire p-MOSFETs on Si.
ACS Appl Electron Mater
; 4(1): 531-538, 2022 Jan 25.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35098137
16.
Correction: Strain mapping inside an individual processed vertical nanowire transistor using scanning X-ray nanodiffraction.
Nanoscale
; 14(13): 5247, 2022 Mar 31.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-35319063
17.
Doping Profiles in Ultrathin Vertical VLS-Grown InAs Nanowire MOSFETs with High Performance.
ACS Appl Electron Mater
; 3(12): 5240-5247, 2021 Dec 28.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-34988463
18.
Strain mapping inside an individual processed vertical nanowire transistor using scanning X-ray nanodiffraction.
Nanoscale
; 12(27): 14487-14493, 2020 Jul 16.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-32530025
19.
The dependence of the Schottky barrier height on carbon nanotube diameter for Pd-carbon nanotube contacts.
Nanotechnology
; 20(17): 175204, 2009 Apr 29.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-19420588
20.
Fabrication of crossed junctions of semiconducting and metallic carbon nanotubes: a CNT-gated CNT-FET.
J Nanosci Nanotechnol
; 6(5): 1325-30, 2006 May.
Artigo
em Inglês
| MEDLINE | ID: mdl-16792360