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1.
Strain Relief during Growth: CaF2 on Si(111).
Tromp RM; LeGoues FK; Reuter MC.
Phys Rev Lett ; 74(14): 2706-2709, 1995 Apr 03.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10057997
2.
Identification of a mobility-limiting scattering mechanism in modulation-doped Si/SiGe heterostructures.
Ismail K; LeGoues FK; Saenger KL; Arafa M; Chu JO; Mooney PM; Meyerson BS.
Phys Rev Lett ; 73(25): 3447-3450, 1994 Dec 19.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10057383
3.
Cyclic growth of strain-relaxed islands.
LeGoues FK; Reuter MC; Tersoff J; Hammar M; Tromp RM.
Phys Rev Lett ; 73(2): 300-303, 1994 Jul 11.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10057135
4.
LeGoues, Mooney, and Tersoff reply.
LeGoues FK; Mooney PM; Tersoff J.
Phys Rev Lett ; 72(25): 4056, 1994 Jun 20.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10056370
5.
Competing relaxation mechanisms in strained layers.
Tersoff J; LeGoues FK.
Phys Rev Lett ; 72(22): 3570-3573, 1994 May 30.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10056233
6.
Self-aligned sources for dislocation nucleation: The key to low threading dislocation densities in compositionally graded thin films grown at low temperature.
LeGoues FK.
Phys Rev Lett ; 72(6): 876-879, 1994 Feb 07.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10056557
7.
Observation of buried interfaces with low energy electron microscopy.
Tromp RM; Denier van der Gon AW; LeGoues FK; Reuter MC.
Phys Rev Lett ; 71(20): 3299-3302, 1993 Nov 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10054938
8.
Surface morphology and alloy ordering in epitaxial growth of SiGe.
LeGoues FK; Tersoff J; Tromp RM.
Phys Rev Lett ; 71(22): 3736, 1993 Nov 29.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10055059
9.
Measurement of the activation barrier to nucleation of dislocations in thin films.
LeGoues FK; Mooney PM; Tersoff J.
Phys Rev Lett ; 71(3): 396-399, 1993 Jul 19.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10055260
10.
Medium-energy-ion-scattering investigations of Si and Ge growth on GaAs(001)-c(2 x 8)/(2 x 4).
Falta J; Copel M; LeGoues FK; Tromp RM.
Phys Rev B Condens Matter ; 47(15): 9610-9614, 1993 Apr 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10005028
11.
Critical test of the structure of the ordered phase in epitaxially grown SixGe1-x films.
LeGoues FK; Tromp RM; Kesan VP; Tsang J.
Phys Rev B Condens Matter ; 47(15): 10012-10015, 1993 Apr 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10005098
12.
Raman spectroscopy of long-range order in epitaxial Si0.5Ge0.5 alloys.
Tsang JC; Kesan VP; Freeouf JL; LeGoues FK; Iyer SS.
Phys Rev B Condens Matter ; 46(11): 6907-6914, 1992 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10002394
13.
Influence of surface reconstructions and epitaxial-growth conditions on long-range order in Si1-xGex alloys.
Kesan VP; LeGoues FK; Iyer SS.
Phys Rev B Condens Matter ; 46(3): 1576-1581, 1992 Jul 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10003802
14.
Strain-relief mechanism in surfactant-grown epitaxial germanium films on Si(111).
LeGoues FK; Horn-Von Hoegen M; Copel M; Tromp RM.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(23): 12894-12902, 1991 Dec 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9999469
15.
Defect self-annihilation in surfactant-mediated epitaxial growth.
Horn-von Hoegen M; LeGoues FK; Copel M; Reuter MC; Tromp RM.
Phys Rev Lett ; 67(9): 1130-1133, 1991 Aug 26.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10045083
16.
Hydrogen segregation and trapping in the Al/Si(111) interface.
Liu JC; Marwick AD; LeGoues FK.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(4): 1861-1874, 1991 Jul 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9999725
17.
Anomalous strain relaxation in SiGe thin films and superlattices.
LeGoues FK; Meyerson BS; Morar JF.
Phys Rev Lett ; 66(22): 2903-2906, 1991 Jun 03.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10043649
18.
Microstructure and strain relief of Ge films grown layer by layer on Si(001).
LeGoues FK; Copel M; Tromp RM.
Phys Rev B Condens Matter ; 42(18): 11690-11700, 1990 Dec 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9995473
19.
Surface-stress-induced order in SiGe alloy films.
LeGoues FK; Kesan VP; Iyer SS; Tersoff J; Tromp R.
Phys Rev Lett ; 64(17): 2038-2041, 1990 Apr 23.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10041561
20.
Long-range order in thick, unstrained Si0.5Ge0.5 epitaxial layers.
LeGoues FK; Kesan VP; Iyer SS.
Phys Rev Lett ; 64(1): 40-43, 1990 Jan 01.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10041268
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