Detalles de la búsqueda
1.
Circumventing the ammonia-related growth suppression for obtaining regular GaN nanowires by HVPE.
Nanotechnology
; 35(26)2024 Apr 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38522101
2.
Long indium-rich InGaAs nanowires by SAG-HVPE.
Nanotechnology
; 35(19)2024 Feb 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38316054
3.
Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90.
Nanotechnology
; 30(4): 044001, 2019 Jan 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30457977
4.
Circumventing the miscibility gap in InGaN nanowires emitting from blue to red.
Nanotechnology
; 29(46): 465602, 2018 Nov 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30160245
5.
Ultralong and defect-free GaN nanowires grown by the HVPE process.
Nano Lett
; 14(2): 559-62, 2014 Feb 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24393103
6.
Record pure zincblende phase in GaAs nanowires down to 5 nm in radius.
Nano Lett
; 14(7): 3938-44, 2014 Jul 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24873917
7.
Vapor liquid solid-hydride vapor phase epitaxy (VLS-HVPE) growth of ultra-long defect-free GaAs nanowires: ab initio simulations supporting center nucleation.
J Chem Phys
; 140(19): 194706, 2014 May 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24852556
8.
Strain-induced yellow to blue emission tailoring of axial InGaN/GaN quantum wells in GaN nanorods synthesized by nanoimprint lithography.
Sci Rep
; 11(1): 6754, 2021 Mar 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33762623
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