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1.
Ballistic-electron-emission microscopy and spectroscopy of GaP(110)-metal interfaces.
Prietsch M; Ludeke R.
Phys Rev Lett ; 66(19): 2511-2514, 1991 May 13.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10043507
2.
Formation of Schottky barrier at the Tm/GaAs(110) interface.
Prietsch M; Domke M; Laubschat C; Kaindl G.
Phys Rev Lett ; 60(5): 436-439, 1988 Feb 01.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10038546
3.
Quantitative study of electron transport in ballistic-electron-emission microscopy.
Bauer A; Cuberes MT; Prietsch M; Kaindl G.
Phys Rev Lett ; 71(1): 149-152, 1993 Jul 05.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10054395
4.
Prietsch et al. reply.
Prietsch M; Domke M; Laubschat C; Kaindl G.
Phys Rev Lett ; 62(5): 607, 1989 Jan 30.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10040281
5.
Experimental proof for coordination-dependent valence of Tm metal.
Domke M; Laubschat C; Prietsch M; Mandel T; Kaindl G; Schneider WD.
Phys Rev Lett ; 56(12): 1287-1290, 1986 Mar 24.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10032622
6.
Switching of band bending at the nonreactive CsOx/GaAs(110) interface.
Laubschat C; Prietsch M; Domke M; Weschke E; Remmers G; Mandel T; Ortega JE; Kaindl G.
Phys Rev Lett ; 62(11): 1306-1309, 1989 Mar 13.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10039636
7.
Structural and electronic properties of the Bi/GaP(110) interface.
Prietsch M; Samsavar A; Ludeke R.
Phys Rev B Condens Matter ; 43(14): 11850-11856, 1991 May 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9996958
8.
Photoemission study of reactive rare-earth/semiconductor interfaces: Tm/GaAs(110) and Yb/GaAs(110).
Prietsch M; Laubschat C; Domke M; Kaindl G.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(15): 10655-10668, 1988 Nov 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9945921
9.
Mössbauer study of stage-2 FeCl3-graphite.
Prietsch M; Wortmann G; Kaindl G; Schlögl R.
Phys Rev B Condens Matter ; 33(11): 7451-7461, 1986 Jun 01.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9938108
10.
Thermally induced oxidation of GaAs(110) by a Rb oxide overlayer.
Miranda R; Prietsch M; Laubschat C; Domke M; Mandel T; Kaindl G.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(14): 10387-10389, 1989 May 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9947830
11.
Two-dimensional electronic structure of the GaAs(110)-Bi system.
McLean AB; Ludeke R; Prietsch M; Heskett D; Tang D; Wong TM.
Phys Rev B Condens Matter ; 43(9): 7243-7253, 1991 Mar 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9998188
12.
Systematic study of the surface photovoltaic effect in photoemission.
Bauer A; Prietsch M; Molodtsov S; Laubschat C; Kaindl G.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(8): 4002-4005, 1991 Aug 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10000034
13.
Formation of the Ho/CdSe(101-bar0) interface.
Molodtsov SL; Prietsch M; Laubschat C; Kaindl G; Fedorov AV; Adamchuk VK.
Phys Rev B Condens Matter ; 48(24): 17867-17871, 1993 Dec 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10008418
14.
Adsorption of potassium and oxygen on GaAs(110): Charge transfer and enhanced oxidation.
Ortega JE; Ferrón J; Miranda R; Laubschat C; Domke M; Prietsch M; Kaindl G.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(17): 12751-12757, 1989 Jun 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9948146
15.
Bulk and surface valence in YbPdx compounds.
Domke M; Laubschat C; Sampathkumaran EV; Prietsch M; Mandel T; Kaindl G; Middelmann HU.
Phys Rev B Condens Matter ; 32(12): 8002-8006, 1985 Dec 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9936973
16.
Lateral confinement of surface states on stepped Cu(111).
Sánchez O; García JM; Segovia P; Alvarez J; Vázquez de Parga AL; Ortega JE; Prietsch M; Miranda R.
Phys Rev B Condens Matter ; 52(11): 7894-7897, 1995 Sep 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9979782
17.
Occupied surface-state bands of Bi(1 x 1) overlayers on an InAs(110) surface grown by molecular-beam epitaxy.
McIlroy DN; Heskett D; Swanston DM; McLean AB; Ludeke R; Munekata H; Prietsch M; DiNardo NJ.
Phys Rev B Condens Matter ; 47(7): 3751-3759, 1993 Feb 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10006478
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