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1.
Silicon-interstitial-oxygen-interstitial complex as a model of the 450 degrees C oxygen thermal donor in silicon.
Deák P; Snyder LC; Corbett JW.
Phys Rev Lett ; 66(6): 747-749, 1991 Feb 11.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10043890
2.
Evaluation of semiempirical quantum-chemical methods in solid-state applications. II. Cyclic-cluster calculations of silicon.
Deák P; Snyder LC.
Phys Rev B Condens Matter ; 36(18): 9619-9627, 1987 Dec 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9942859
3.
Charge state of hydrogen in crystalline silicon.
Deák P; Snyder LC; Corbett JW.
Phys Rev B Condens Matter ; 43(5): 4545-4547, 1991 Feb 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9997820
4.
State and motion of hydrogen in crystalline silicon.
Deák P; Snyder LC; Corbett JW.
Phys Rev B Condens Matter ; 37(12): 6887-6892, 1988 Apr 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9943958
5.
Theoretical studies on the core structure of the 450 degreesC oxygen thermal donors in silicon.
Deák P; Snyder LC; Corbett JW.
Phys Rev B Condens Matter ; 45(20): 11612-11626, 1992 May 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10001175
6.
Evaluation of semiempirical quantum-chemical methods in solid-state applications. I. Molecular-cluster calculations of defects in silicon.
Deák P; Snyder LC; Singh RK; Corbett JW.
Phys Rev B Condens Matter ; 36(18): 9612-9618, 1987 Dec 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9942858
7.
Hydrogen passivation of a substitutional sulfur defect in silicon.
Yapsir AS; Deák P; Singh RK; Snyder LC; Corbett JW; Lu T.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(14): 9936-9940, 1988 Nov 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9945819
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