Detalles de la búsqueda
1.
A compute-in-memory chip based on resistive random-access memory.
Nature
; 608(7923): 504-512, 2022 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35978128
2.
Wafer-scale single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on Cu (111).
Nature
; 579(7798): 219-223, 2020 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32132712
3.
Graphene and two-dimensional materials for silicon technology.
Nature
; 573(7775): 507-518, 2019 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31554977
4.
Probing the Melting Transitions in Phase-Change Superlattices via Thin Film Nanocalorimetry.
Nano Lett
; 23(10): 4587-4594, 2023 May 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37171275
5.
Three-dimensional integration of nanotechnologies for computing and data storage on a single chip.
Nature
; 547(7661): 74-78, 2017 07 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28682331
6.
Unveiling the Effect of Superlattice Interfaces and Intermixing on Phase Change Memory Performance.
Nano Lett
; 22(15): 6285-6291, 2022 08 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35876819
7.
How 2D semiconductors could extend Moore's law.
Nature
; 567(7747): 169-170, 2019 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30862924
8.
Gate Quantum Capacitance Effects in Nanoscale Transistors.
Nano Lett
; 19(10): 7130-7137, 2019 10 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31532995
9.
Low-Temperature Side Contact to Carbon Nanotube Transistors: Resistance Distributions Down to 10 nm Contact Length.
Nano Lett
; 19(2): 1083-1089, 2019 02 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30677297
10.
Spatial Separation of Carrier Spin by the Valley Hall Effect in Monolayer WSe2 Transistors.
Nano Lett
; 19(2): 770-774, 2019 02 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30601667
11.
Fast Spiking of a Mott VO2-Carbon Nanotube Composite Device.
Nano Lett
; 19(10): 6751-6755, 2019 10 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31433663
12.
Carbon nanotube computer.
Nature
; 501(7468): 526-30, 2013 Sep 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24067711
13.
Unipolar n-Type Black Phosphorus Transistors with Low Work Function Contacts.
Nano Lett
; 18(5): 2822-2827, 2018 05 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29620900
14.
In situ visualization and detection of surface potential variation of mono and multilayer MoS2 under different humidities using Kelvin probe force microscopy.
Nanotechnology
; 28(29): 295705, 2017 Jun 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28664874
15.
Statistical Study on the Schottky Barrier Reduction of Tunneling Contacts to CVD Synthesized MoS2.
Nano Lett
; 16(1): 276-81, 2016 Jan 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26698919
16.
Removable and Recyclable Conjugated Polymers for Highly Selective and High-Yield Dispersion and Release of Low-Cost Carbon Nanotubes.
J Am Chem Soc
; 138(3): 802-5, 2016 Jan 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26731376
17.
Picosecond Electric-Field-Induced Threshold Switching in Phase-Change Materials.
Phys Rev Lett
; 117(6): 067601, 2016 Aug 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27541475
18.
Disturbance characteristics of half-selected cells in a cross-point resistive switching memory array.
Nanotechnology
; 27(21): 215204, 2016 May 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27094841
19.
A general design strategy for block copolymer directed self-assembly patterning of integrated circuits contact holes using an alphabet approach.
Nano Lett
; 15(2): 805-12, 2015 Feb 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25551471
20.
Energy-Efficient Phase-Change Memory with Graphene as a Thermal Barrier.
Nano Lett
; 15(10): 6809-14, 2015 Oct 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26308280