High mobility indium zinc oxide thin film field-effect transistors by semiconductor layer engineering. | ACS Appl Mater Interfaces;4(12): 6835-41, 2012 Dec. | MEDLINE

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Centro Latinoamericano de Perinatología, Salud de la Mujer y Reproductiva

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High mobility indium zinc oxide thin film field-effect transistors by semiconductor layer engineering.

Walker, Daniel E; Major, Marton; Yazdi, Mehrdad Baghaie; Klyszcz, Andreas; Haeming, Marc; Bonrad, Klaus; Melzer, Christian; Donner, Wolfgang; von Seggern, Heinz.

Afiliación

Walker DE; Technical University of Darmstadt, Department of Materials Science, 64287 Darmstadt, Germany. walker@e-mat.tu-darmstadt.de

ACS Appl Mater Interfaces ; 4(12): 6835-41, 2012 Dec.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23163608

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Qualitative_research Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Asunto de la revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Qualitative_research Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Asunto de la revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania