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Improved sinusoidal gating with balanced InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diodes.
Lu, Zhiwen; Sun, Wenlu; Zhou, Qiugui; Campbell, Joe; Jiang, Xudong; Itzler, Mark A.
Afiliación
  • Lu Z; Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904, USA.
Opt Express ; 21(14): 16716-21, 2013 Jul 15.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23938523
We report balanced InGaAs/InP single photon avalanche diodes (SPADs) operated in sinusoidal gating mode with a tunable phase shifter to reduce common mode noise. This technique enables detection of small avalanche pulses, which results in reduced afterpulsing. For laser repletion rate of 20 MHz at 240 K, the dark count rate for photon detection efficiency of 10% is 8.9 kHz.
Asunto(s)

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Fosfinas / Fotometría / Arsenicales / Refractometría / Semiconductores / Galio / Indio / Rayos Láser Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Fosfinas / Fotometría / Arsenicales / Refractometría / Semiconductores / Galio / Indio / Rayos Láser Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos