High field breakdown characteristics of carbon nanotube thin film transistors. | Nanotechnology;24(40): 405204, 2013 Oct 11. | MEDLINE

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High field breakdown characteristics of carbon nanotube thin film transistors.

Gupta, Man Prakash; Behnam, Ashkan; Lian, Feifei; Estrada, David; Pop, Eric; Kumar, Satish.

Afiliación

Gupta MP; G. W. Woodruff School of Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA.

Nanotechnology ; 24(40): 405204, 2013 Oct 11.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24029606

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos

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