Atomic layer deposition of Y2O3 on h-BN for a gate stack in graphene FETs. | Nanotechnology;26(17): 175708, 2015 May 01. | MEDLINE

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Atomic layer deposition of Y2O3 on h-BN for a gate stack in graphene FETs.

Takahashi, N; Watanabe, K; Taniguchi, T; Nagashio, K.

Afiliación

Takahashi N; Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan.

Nanotechnology ; 26(17): 175708, 2015 May 01.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-25854835

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2015 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón

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