The Origin of Improved Electrical Double-Layer Capacitance by Inclusion of Topological Defects and Dopants in Graphene for Supercapacitors.
Angew Chem Int Ed Engl
; 55(44): 13822-13827, 2016 10 24.
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en En
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| ID: mdl-27701817
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Banco de datos:
MEDLINE
Tipo de estudio:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
Angew Chem Int Ed Engl
Año:
2016
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
China