In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>P Nanowire Growth Dynamics Strongly Affected by Doping Using Diethylzinc.

Otnes, Gaute; Heurlin, Magnus; Zeng, Xulu; Borgström, Magnus T

In_xGa_1-xP Nanowire Growth Dynamics Strongly Affected by Doping Using Diethylzinc.

Otnes, Gaute; Heurlin, Magnus; Zeng, Xulu; Borgström, Magnus T.

Afiliación

Otnes G; Division of Solid State Physics and NanoLund, Lund University , P.O. Box 118, SE-221 00 Lund, Sweden.
Heurlin M; Division of Solid State Physics and NanoLund, Lund University , P.O. Box 118, SE-221 00 Lund, Sweden.
Zeng X; Division of Solid State Physics and NanoLund, Lund University , P.O. Box 118, SE-221 00 Lund, Sweden.
Borgström MT; Division of Solid State Physics and NanoLund, Lund University , P.O. Box 118, SE-221 00 Lund, Sweden.

Nano Lett ; 17(2): 702-707, 2017 02 08.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-28054783

Asunto(s)

Galio/química; Indio/química; Nanocables/química; Compuestos Organometálicos/química; Cristalización; Nanotecnología; Tamaño de la Partícula; Fósforo/química; Semiconductores; Propiedades de Superficie

Palabras clave

InGaP; MOVPE; Nanowire; crystal structure; doping; ternary compound

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Asunto principal: Compuestos Organometálicos / Nanocables / Galio / Indio Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2017 Tipo del documento: Article País de afiliación: Suecia

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