Physically Cross-Linked Homopolymer Ion Gels for High Performance Electrolyte-Gated Transistors. | ACS Appl Mater Interfaces;9(10): 8813-8818, 2017 Mar 15. | MEDLINE

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Physically Cross-Linked Homopolymer Ion Gels for High Performance Electrolyte-Gated Transistors.

Yang, Hae Min; Kwon, Yeong Kwan; Lee, Soo Byoung; Kim, Sangwon; Hong, Kihyon; Lee, Keun Hyung.

Afiliación

Hong K; Surface Technology Division, Korea Institute of Materials Science , Changwon 51508, Republic of Korea.

ACS Appl Mater Interfaces ; 9(10): 8813-8818, 2017 Mar 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-28155274

Palabras clave

electrolyte-gated transistor; gate dielectric; homopolymer ion gel; physically cross-linked gel; solid electrolyte

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Asunto de la revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Año: 2017 Tipo del documento: Article

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