Polarity Control of Heteroepitaxial GaN Nanowires on Diamond.

Hetzl, Martin; Kraut, Max; Hoffmann, Theresa; Stutzmann, Martin

Hetzl, Martin; Kraut, Max; Hoffmann, Theresa; Stutzmann, Martin.

Afiliación

Hetzl M; Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universität München , 85748 Garching, Germany.
Kraut M; Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universität München , 85748 Garching, Germany.
Hoffmann T; Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universität München , 85748 Garching, Germany.
Stutzmann M; Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universität München , 85748 Garching, Germany.

Nano Lett ; 17(6): 3582-3590, 2017 06 14.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-28535070

Palabras clave

GaN; Kelvin Probe Force Microscopy; diamond; heteroepitaxy; nanowires; polarity

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2017 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania

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