Resistive switching mechanism of GeTe-Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> interfacial phase change memory and topological properties of embedded two-dimensional states. | Nanoscale;9(27): 9386-9395, 2017 Jul 13. | MEDLINE

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Resistive switching mechanism of GeTe-Sb₂Te₃ interfacial phase change memory and topological properties of embedded two-dimensional states.

Nakamura, Hisao; Rungger, Ivan; Sanvito, Stefano; Inoue, Nobuki; Tominaga, Junji; Asai, Yoshihiro.

Afiliación

Nakamura H; CD-FMat, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba Central 2, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan. hs-nakamura@aist.go.jp.

Nanoscale ; 9(27): 9386-9395, 2017 Jul 13.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-28657077

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2017 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón

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