Charge Disproportionation Triggers Bipolar Doping in FeSb2- xSn xSe4 Ferromagnetic Semiconductors, Enabling a Temperature-Induced Lifshitz Transition.

Djieutedjeu, Honore; Lopez, Juan S; Lu, Ruiming; Buchanan, Brandon; Zhou, Xiaoyuan; Chi, Hang; Ranmohotti, Kulugammana G S; Uher, Ctirad; Poudeu, Pierre F P

Charge Disproportionation Triggers Bipolar Doping in FeSb_{2- x}Sn _xSe₄ Ferromagnetic Semiconductors, Enabling a Temperature-Induced Lifshitz Transition.

Djieutedjeu, Honore; Lopez, Juan S; Lu, Ruiming; Buchanan, Brandon; Zhou, Xiaoyuan; Chi, Hang; Ranmohotti, Kulugammana G S; Uher, Ctirad; Poudeu, Pierre F P.

Afiliación

Ranmohotti KGS; Division of Science, Mathematics and Technology , Governors State University , University Park , Illinois 60484 , United States.

J Am Chem Soc ; 141(23): 9249-9261, 2019 Jun 12.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-31074974

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Banco de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Am Chem Soc Año: 2019 Tipo del documento: Article

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