A quantitative approach for trap analysis between Al0.25Ga0.75N and GaN in high electron mobility transistors.
Sci Rep
; 11(1): 22401, 2021 11 17.
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| ID: mdl-34789786
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Banco de datos:
MEDLINE
Tipo de estudio:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
Sci Rep
Año:
2021
Tipo del documento:
Article