Modifying the Power and Performance of 2-Dimensional MoS2 Field Effect Transistors.
Research (Wash D C)
; 6: 0057, 2023.
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| ID: mdl-36939429
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Banco de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Research (Wash D C)
Año:
2023
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
China