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1.
Dynamics-Induced Surface Metallization of Si(100).
Gavioli L; Betti MG; Mariani C.
Phys Rev Lett ; 77(18): 3869-3872, 1996 Oct 28.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10062329
2.
Overlayer growth and electronic properties of the Bi/GaSb(110) interface.
Gavioli L; Betti MG; Casarini P; Mariani C.
Phys Rev B Condens Matter ; 51(23): 16822-16831, 1995 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9978691
3.
Epitaxial continued-layer structure of Sb on GaAs(110) as observed by grazing-incidence x-ray diffraction.
Betti MG; Mariani C; Jedrecy N; Pinchaux R; Ruocco A; Sauvage-Simkin M.
Phys Rev B Condens Matter ; 50(19): 14336-14339, 1994 Nov 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9975655
4.
Structural analysis of the (1 x 1)-Bi/GaAs(110) interface.
Ruocco A; Jedrecy N; Pinchaux R; Sauvage-Simkin M; Waldhauer A; Betti MG; Mariani C.
Phys Rev B Condens Matter ; 50(11): 8004-8007, 1994 Sep 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9974796
5.
Space-charge layer, metallization, and collective excitations of the Bi/GaAs(110) interface.
De Renzi V; Biagi R; Betti MG; Mariani C.
Phys Rev B Condens Matter ; 49(12): 8198-8205, 1994 Mar 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10009586
6.
Bismuth on GaSb(110): Electronic and dielectric properties.
Gavioli L; Betti MG; Casarini P; Mariani C.
Phys Rev B Condens Matter ; 49(4): 2911-2914, 1994 Jan 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10011129
7.
Quantum size effects and temperature dependence of low-energy electronic excitations in thin Bi crystals.
De Renzi V; Betti MG; Mariani C.
Phys Rev B Condens Matter ; 48(7): 4767-4776, 1993 Aug 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10008964
8.
Bismuth and antimony on GaAs(110): Dielectric and electronic properties.
Betti MG; Pedio M; del Pennino U; Mariani C.
Phys Rev B Condens Matter ; 45(24): 14057-14064, 1992 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-10001524
9.
Antimony-induced electronic states in the Sb/InP(110) interface studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy.
Betti MG; Pedio M; del Pennino U; Mariani C.
Phys Rev B Condens Matter ; 43(17): 14317-14320, 1991 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9997319
10.
Cation surface excitons in Sb/III-V interfaces.
Pedio M; Betti MG; Ottaviani C; Quaresima C; Capozi M.
Phys Rev B Condens Matter ; 43(11): 9070-9075, 1991 Apr 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9996575
11.
Inelastic-electron-scattering investigation of clean and hydrogen-exposed InP(110) surfaces.
Nannarone S; D'Addato S; Betti MG; del Pennino U; Chen Y; Samonto P; Lapeyre GJ.
Phys Rev B Condens Matter ; 43(12): 9818-9822, 1991 Apr 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9996683
12.
Inelastic electron scattering investigation of the Sb/GaAs(110) system.
Annovi G; Betti MG; del Pennino U; Mariani C.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(17): 11978-11991, 1990 Jun 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9993649
13.
Observation of a new mode in the energy-loss spectrum of the Sb/GaAs(110) system.
Mariani C; Betti MG; del Pennino U.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(11): 8095-8098, 1989 Oct 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9991264
14.
Azimuthal dependence of the vibrational excitation in Si(111)-(2 x 1).
del Pennino U; Betti MG; Mariani C; Nannarone S; Bertoni CM; Abbati I; Rizzi A.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(14): 10380-10383, 1989 May 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9947828
15.
Collective and vibrational excitations on the n-doped GaAs(110) surface.
Betti MG; del Pennino U; Mariani C.
Phys Rev B Condens Matter ; 39(9): 5887-5891, 1989 Mar 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9949008
16.
L2,3 absorption edges in Ni2Si.
del Pennino U; Mariani C; Valeri S; Ottaviani G; Betti MG; Nannarone S; De Crescenzi M.
Phys Rev B Condens Matter ; 34(4): 2875-2877, 1986 Aug 15.
Artigo em Inglês | MEDLINE | ID: mdl-9939987
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